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集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件。目前芯片市場需求更大,那么做集成電路芯片生產(chǎn)廠家,同時大量需求到皓天環(huán)境測試設備:高低溫試驗箱,可程式恒溫恒濕試驗箱,冷熱沖擊試驗箱,快速溫變試驗箱..........
如何選擇集成電路芯片高低溫試驗箱
1、芯片廠家需求多大內(nèi)容積高低溫試驗箱;
2、設備溫度范圍
3、濕度范圍
4、集成器負載數(shù)量
高低溫試驗箱專業(yè)廠家根據(jù)客戶要求推薦如下
1.產(chǎn)品名稱  | 高低溫試驗箱  | 
2.產(chǎn)品型號  | SMC-40PF  | 
3.試樣限制  | 本試驗設備禁止: ①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗或儲存 ②腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗或儲存 ③生物試樣的試驗或儲存 ④強電磁發(fā)射源試樣的試驗或儲存  | 
4.容積、尺寸和重量  | |
4.1.標稱內(nèi)容積  | 40L  | 
4.2.內(nèi)型尺寸  | W345*H395*D300mm  | 
4.3.外型尺寸  | W580*H850*D1150mm  | 
4.4.重量  | 約180㎏  | 
5.性能 
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5.1.測試環(huán)境條件 5.2.測試方法  | 環(huán)境溫度為+25℃、相對濕度≤85%、試驗箱內(nèi)無試樣條件下 GB/T 5170.2-1996 溫度試驗設備。  | 
5.3.溫度范圍  | -40℃→+150℃(可任意設定)  | 
5.4.濕度范圍  | 20%RH→98%RH (可任意設定)  | 
5.5.溫度波動度  | ±0.5℃  | 
5.6.濕度波動度  | ±1%  | 
5.7.溫度偏差  | ±1.0℃  | 
5.8.濕度偏差  | ±3%RH  | 
5.9.升溫時間  | 升溫時間:+20℃~+150℃≤35min(非線性空載,升溫速率3~5℃)  | 
5.10.降溫時間  | 降溫時間:+20℃~-40℃≤55min(非線性空載,降溫速率1~1.2℃)  | 
5.11.負載情況  | 空載  | 
5.12.滿足試驗標準  | ①GB/T 2423.1-2006 試驗A:低溫試驗方法 ②GB/T 2423.2-2006 試驗B:高溫試驗方法 ③GJB 150.3-1986 高溫試驗 ④GJB 150.4-1986 低溫試驗 ⑤IEC68-2-1 試驗A:寒冷. ⑥GB 11158《高溫試驗箱技術條件》 ⑦GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗B:高溫試驗方法》. ⑧GB/T10586-89 濕熱試驗箱條件 ⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93 濕熱試驗箱條件  |